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第二屆亞太碳化硅及相關材料國際會議
(APCSCRM 2019)
會議官網:http://www.apcscrm2019.iawbs.com
 
第二屆亞太碳化硅及相關材料國際會議(2019年)(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2019))將于2019年7月17日-20日在北京海淀區(北京世紀金源大飯店)召開,參會規模600人。APCSCRM 2019會議主題包括:寬禁帶半導體材料生長與外延技術;寬禁帶半導體器件及測試分析技術;寬禁帶半導體器件封裝模塊、系統解決方案及應用;半導體產業標準化及EHS發展。
 
主辦單位:  
 
承辦單位:  
 
特邀嘉賓:
居龍 Filippo Digiovanni Gourab Majumdar
SEMI中國區總裁 意法半導體市場戰略總監 日本三菱電機公司首席科學家
 
一、會議時間與地點:
時間:2019年7月17日 - 20日
地點:北京世紀金源大飯店(北京市海淀區板井路69號)
 
二、會議議程(會議注冊:https://www.wjx.top/m/41052072.aspx
2019年7月17日 周三
09:00-20:00 會議報道及現場注冊
14:00-16:30 寬禁帶半導體技術與產業發展高峰對話
16:30-17:30 中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟會員大會
2019年7月18日 周四
主會場  
09:00-09:30 開幕式
09:30-10:05 寬禁帶半導體材料及器件的研究進展以及APCSCRM國際會議對其將產生的影響
  Gourab Majumdar,日本三菱電機公司首席科學家
10:05-10:25 茶歇
10:25-11:00 SiC和GaN功率器件的設計,商業化和應用
  張清純,Alpha and Omega Semiconductors教授
11:00-11:35 全球半導體產業的新變局新形勢
  居龍,SEMI中國區總裁
11:35-11:45 大幅提升產量并減少材料浪費
  Microdiamant AG
11:45-11:55 關于寬禁帶半導體材料表征的計量解決方案
  Semilab
11:55-12:05 下一代寬禁帶功率半導體外延生產技術
  Aixtron SE
12:05-13:30 午餐
   
分會場-1  
13:30-13:55 氧化鎵外延薄膜生長與日盲紫外光電探測器件
  唐為華,北京郵電大學教授
13:55-14:20 碳化硅單晶生長研究及產業化進展
  劉春俊,北京天科合達半導體股份有限公司研究員
14:20-14:45 電力器件用SiC外延片的發展及量產現狀
  Hiroshi Kanazawa,昭和電工設備解決方案部部長
14:45-15:05 寬禁帶半導體電力電子材料到系統的投資機遇和挑戰
  周貞宏
15:05-15:25 PVT方法生長碳化硅晶體中位錯密度模擬
  陳啟生
15:25-15:40 茶歇
15:40-16:05 氮化鎵單晶材料的生長研究與應用進展
  徐科,蘇州納維科技有限公司教授
16:05-16:30 4H-SiC晶片劃痕及其對外延生長的影響
  孫國勝,中國科學院半導體研究所教授
16:30-16:55 高品質4H-SiC晶體生長的改進工藝參數
  Won-Jae Lee,東義大學先進材料工程系教授
16:55-17:15 50mm厚6英寸4H-SiC晶體生產工藝、熱處理減少缺陷及其表征
  P.S.Raghavan
17:15-17:35 使用DLTS設備利用十字交叉采樣的方法研究4H-SiC外延片的深能級分布
  何亞偉
   
分會場-2  
13:30-13:55 利用SiC晶體中的單光子源的室溫電子可控量子器件
  土方泰斗,琦玉大學教授
13:55-14:20 碳化硅離子注入技術
  新井學,新日本無線功率器件開發部經理
14:20-14:45 氮化鎵肖特基接觸用氮化鎳電極的合成
  敖金平,德島大學教授
14:45-15:05 SiC MOS器件近界面氧化物陷阱、性能和穩定性控制技術的研究進展
  王德君
15:05-15:25 高溫氧化法抑制6.5kV pn二極管正向電壓退化
  卜淵
15:25-15:40 茶歇
15:40-16:05 金剛石半導體的新進展
  王宏興,西安交通大學教授
16:05-16:30 SiC功率器件宇航應用及輻射效應研究
  高博,西安微電子技術研究所高級工程師
16:30-16:55 SiC MOSFET器件技術方面的最新研究進展
  黃潤華,南京電子器件研究所研究員
16:55-17:15 過渡區結構對SiC MOSFET導通電阻的影響
  劉少煜
17:15-17:35 用于4H-SiC MOS器件的Al(ON)柵介質
  夏經華
   
分會場-3  
13:30-13:55 對于車載電氣化用SiC MOSFET逆變器的系統思考
  蔡蔚,精進電動教授
13:55-14:20 第三代半導體在新能源汽車領域應用技術路線和發展前景
  原誠寅,北京新能源汽車技術創新中心有限公司|教授級高工
14:20-14:45 軌道交通用3300V碳化硅器件和模塊
  李誠瞻,株洲中車時代電氣股份有限公司|博士
14:45-15:05 重離子引入內在缺陷對SiC結勢壘肖特基二極管可靠性影響研究
  于慶奎
15:05-15:25 Si/SiC異質結IMPATT和MITATT二極管小信號及噪聲性能的模擬
  韋文生
15:25-15:40 茶歇
15:40-16:05 室溫硅片鍵合制備SiC壓力傳感器的可行性研究
  母鳳文, 早稻田大學講師
16:05-16:30 SiC器件在新能源產品中的應用
  謝峰,深圳市禾望電氣股份有限公司|高級工程師
16:30-16:55 值得信賴的技術革命——英飛凌碳化硅技術及產品介紹
  李國虓,英飛凌工業市場經理
16:55-17:15 脈沖紫外激光輻照對4H-SiC MOS電容電學性質的影響
  羅志鵬
   
分會場-4  
13:30-13:55 SEMI標準介紹
  金燕,SEMI中國高級標準專員
  PPT下載
13:55-14:20 寬禁帶半導體材料的標準化
  賀東江,半材標委會理事長
14:20-14:45 中關村標準戰略
  王鈞,中關村標準化協會執行副理事長
14:45-15:05 SEMI標準及EHS對半導體行業的影響
  Supika Mashiro,東京電子股份有限公司專家
  PPT下載
15:05-15:20 茶歇
15:20-15:45 MO源安全制造及使用
  陳化冰,江蘇南大光電股份有限公司副總裁 MO源事業部總經理
15:45-16:05 從傳統到先進,半導體產業工藝技術發展蛻變過程的ESH管理挑戰及實踐
  江穎俊,中芯國際EHS總監
  PPT下載
16:05-16:30 TüV萊茵與SEMI S2&S8認證
  孫吟龍,萊茵技術(上海)有限公司項目經理
  PPT下載
16:30-16:55 TBD
  莊博聞
   
18:30-20:30 歡迎晚宴
   
2019年7月19日 周五
分會場-1  
09:00-09:25 解析4H-SiC晶體物理氣相傳輸過程中的位錯形成過程
  Noboru Ohtani, 關西學院教授
09:25-09:50 4H碳化硅上氮及磷摻雜的4H碳化硅外延厚膜的光學研究
  馮哲川,廣西大學教授
09:50-10:10 熱處理對半絕緣6H-SiC晶片缺陷及電性能的影響
  許庭翔
10:10-10:30 利用拉曼光譜研究寬帶隙氮空位金剛石/Si異質結構的電子輸運特性
  任韌
10:30-10:45 茶歇
10:45-11:10 高鋁組分AlGaN材料的MOCVD外延生長研究進展
  李忠輝,南京電子器件研究所教授
11:10-11:35 無氨高溫金屬有機氣相外延(AFHT-MOVPE):高品質AlN生長的新方法
  沈旭強,日本產業技術綜合研究所教授
11:35-11:55 石墨孔隙率對PVT生長SiC晶體的影響
  Mark Ramm
11:55-12:15 液相法生長SiC單晶
  張澤盛
   
分會場-2  
09:00-09:25 TBD
  Kazuya Saito,愛發科
09:25-09:50 電網用碳化硅電力電子器件的設計與測試技術
  李金元,全球能源互聯網研究院有限公司教授級高工
09:50-10:10 基于n-Ga2O3 / p-CuSCN核 - 殼微米線異質結的超靈敏太陽光盲探測器
  李山
10:10-10:30 氧化前氮注入與氧化后退火對4H-SiC MOSFETs溝道遷移率的影響
  費晨曦
10:30-10:45 茶歇
10:45-11:10 SiC基石墨烯場效應晶體管
  金智,中國科學院微電子研究所研究員
11:10-11:35 高閾值電壓穩定性的4H-SiC VDMOSFET器件的設計與實現
  張藝蒙,西安電子科技大學教授
11:35-11:55 有源P+區設計對6500V 4H-SiC JBS二極管制備的影響研究
  桑玲
11:55-12:15 高性能4H-SiC溝槽JBS的研制
  袁昊
   
分會場-3  
09:00-09:25 碳化硅器件在軌道交通應用的最新進展
  李華,株洲中車時代電氣股份有限公司教授級高工
09:25-09:50 使用表面活化鍵合(SAB)方法對永久或暫時性SiC-SiC晶圓鍵合的影響
  須賀唯知,明星大學教授
09:50-10:10 用于工業和汽車SiC MOSFET功率模塊的高溫柵極驅動器
  Pierre Delatte
10:10-10:30 高功率密度碳化硅混合開關模塊設計與開發
  寧圃奇
10:30-10:45 茶歇
10:45-11:10 SiC封測技術研究
  董勇
11:10-11:35 基于SiC技術的電機控制器
  孫輝
11:35-11:55 TBD
  李現兵
   
12:15-13:30 午餐
   
主會場  
13:30-14:05 利用同步輻射X射線衍射形貌繪制氮化鎵晶格平面取向圖
  坂田修身,東京工業大學材料與化學技術學院教授
14:05-14:40 β-Ga2O3晶體研究進展
  郝建民
14:40-15:15 碳化硅門極可關斷晶閘管關鍵技術研究
  王燕,清華大學教授
15:15-15:35 茶歇
15:35-16:10 當今市場中的功率寬頻帶半導體解決方案
  Filippo Digiovanni,意法半導體市場戰略總監
16:10-16:45 寬禁帶半導體電力電子應用的潛力
  龍騰,劍橋大學教授
16:45-17:05 閉幕式暨頒發獎項
 
2019年7月20日 周六
全天 自由交流討論
 
會議注冊:https://www.wjx.top/m/41052072.aspx
或掃描二維碼即可注冊:
 
三、大會主席(按姓氏字母排列):
陳小龍(北京天科合達半導體股份有限公司,中國科學院物理研究所,中國)
Filippo Digiovanni(意法半導體,瑞士)
Gourab Majumdar(三菱電機,日本)
 
四、會議咨詢/參展聯系人
吳迪 劉祎晨
Tel: +86 21-60278509 Tel: +8610-61256850-657或+86-18931699592
Email: [email protected] Email: [email protected]
 
五、會議注冊
直接注冊報名通道:https://www.wjx.top/m/41052072.aspx
注冊類別 提前注冊
(2019/06/17之前)
之后 / 現場
(2019/06/17之后)
聯盟會員
(或SEMI會員)
一般代表 ¥2000 / $300 ¥2500 / $375
學生代表 ¥1600 / $240 ¥2000 / $300
非聯盟會員 一般代表 ¥2500 / $375 ¥2800 / $415
學生代表 ¥1600 / $240 ¥2000 / $300
 
會議相關網址:
會議官網: http://www.apcscrm2019.iawbs.com/
主辦官網: http://www.iawbs.com/
  http://www.eprzbu.live/
承辦官網: http://www.tankeblue.com/
 
 

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